您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > PMDPB30XNZ

PMDPB30XNZ 发布时间 时间:2025/9/14 6:38:37 查看 阅读:29

PMDPB30XNZ是一款由Power Integrations生产的高集成度、高效能的离线式电源管理IC,专为反激式转换器设计。该芯片采用了Power Integrations的创新技术,集成了高压功率MOSFET和初级侧控制器,适用于宽输入电压范围的电源应用。

参数

工作电压范围:85 VAC - 265 VAC
  输出功率:高达30W
  开关频率:66 kHz
  MOSFET耐压:725V
  效率:高达90%
  封装类型:DIP-8

特性

PMDPB30XNZ具有多项先进功能,包括内置的高压启动电路,可显著降低启动时的功耗;自动重试保护机制,确保在过载或短路情况下系统稳定运行;内置软启动功能,减少启动时的电流冲击。
  该芯片支持准谐振运行模式,优化了开关损耗,提高了整体效率;同时具备频率抖动功能,有效降低电磁干扰(EMI)。此外,PMDPB30XNZ集成了多种保护功能,如过温保护(OTP)、过压保护(OVP)、欠压锁定(UVLO)以及过流保护(OCP),为系统提供全方位的安全保障。

应用

PMDPB30XNZ广泛应用于各种中小功率的电源适配器、充电器、LED驱动电源、智能家电电源模块、工业控制电源以及消费类电子产品中的离线式反激变换器设计中。

替代型号

TOP266EG, UCC28630D

PMDPB30XNZ推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

PMDPB30XNZ参数

  • 现有数量5,800现货
  • 价格1 : ¥4.29000剪切带(CT)3,000 : ¥1.22996卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 N-通道(双)
  • FET 功能-
  • 漏源电压(Vdss)20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)40 毫欧 @ 3A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)900mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)660pF @ 10V
  • 功率 - 最大值490mW(Ta),8.33W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳6-UFDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装6-HUSON(2x2)