PMD12K100 是一款由 Microsemi(现为 Microchip 子公司)生产的功率 MOSFET 模块,广泛用于高功率应用,如电源转换、工业电机控制和电力调节系统。该器件设计用于高效地处理高电压和高电流,具备优异的热管理和电气性能。
类型:功率 MOSFET 模块
最大漏源电压(Vds):1200V
最大漏极电流(Id):100A
导通电阻(Rds(on)):约 120mΩ(典型值)
封装类型:双列直插式封装(DIP)或类似工业标准封装
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
安装方式:通孔(Through Hole)
功耗(Pd):高达 300W(取决于散热条件)
PMD12K100 是一款高性能功率 MOSFET 模块,具备以下关键特性:
1. 高电压和高电流能力:该模块的漏源击穿电压高达 1200V,最大连续漏极电流可达 100A,适用于高功率密度设计。这种高耐压和高电流处理能力使其非常适合用于工业电源、逆变器和电机驱动器。
2. 低导通电阻:PMD12K100 的典型导通电阻约为 120mΩ,有助于减少导通损耗,提高系统效率。在大电流工作条件下,低 Rds(on) 可显著降低功率损耗和发热。
3. 高可靠性设计:该模块采用先进的封装技术和材料,具有良好的热管理和耐久性,能够在严苛的工作环境下稳定运行。其宽广的工作温度范围(-55°C 至 +150°C)确保了在极端温度条件下的性能稳定性。
4. 快速开关特性:PMD12K100 具备快速的开关响应能力,适用于高频开关应用。其低栅极电荷(Qg)和低输出电容(Coss)特性有助于减少开关损耗,提高整体系统效率。
5. 热保护和过载保护:在某些应用中,该模块可集成热保护和过载保护功能,防止因过热或过流导致的损坏,提升系统的安全性和稳定性。
6. 易于安装和集成:采用标准的双列直插式封装(DIP),PMD12K100 易于安装在 PCB 上,并且可以与其他功率器件兼容,简化了电路设计和维护过程。
7. 广泛的应用支持:该模块适用于多种高功率应用场景,包括但不限于电源转换器、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器、工业电机控制和电动汽车充电系统。
PMD12K100 被广泛应用于以下领域:
1. 工业电源和电源转换系统:用于 DC-DC 转换器、AC-DC 整流器和功率因数校正(PFC)电路。
2. 电机控制和变频器:在工业自动化和电机驱动系统中,用于高效控制电机的转速和扭矩。
3. 不间断电源(UPS):用于 UPS 系统中的功率转换和能量存储管理。
4. 太阳能逆变器:在光伏系统中,用于将直流电转换为交流电以供电网使用。
5. 电动汽车充电设备:用于 EV 充电桩和车载充电系统中的功率调节和控制。
6. 高频开关电源:适用于需要高频开关操作的电源系统,如通信设备和服务器电源。
PMD12K100 的替代型号包括:IXFN100N120、IRGP50B120KD、STP120N12K5AG。