BUR22 时间：2025/7/23 4:08:52 阅读：7

BUR22是一款由Rohm（罗姆）半导体公司生产的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高频开关应用，具有低导通电阻、高功率密度和良好的热稳定性。BUR22常用于DC-DC转换器、电源管理模块以及需要高效能功率开关的场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：170A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　封装形式：TO-220
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　功耗（Pd）：150W

特性

BUR22作为一款高性能N沟道功率MOSFET，具备多项显著的性能特点。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为4.5mΩ，使得在高电流应用中导通损耗大大降低，从而提高整体效率。此外，该器件采用了先进的沟槽式MOS结构，增强了载流能力和热稳定性。
　　其次，BUR22的封装形式为TO-220，这种封装方式具有良好的散热性能和机械强度，适合在较高功率环境下使用。器件的漏源电压为30V，连续漏极电流可达170A，适用于大电流、低电压的电源系统。
　　再者，该MOSFET具有良好的开关特性，栅极电荷（Qg）较低，能够实现快速开关操作，适用于高频开关电源和同步整流电路。同时，其栅源电压耐受能力为±20V，提供了更高的设计灵活性和保护能力。
　　最后，BUR22在工作温度范围内（-55℃ ~ +150℃）表现出色，具备优异的热管理和稳定性，适合用于各种工业控制、汽车电子和消费类电源管理系统。