类型：DRAM（HBM）
　　容量：8GB
　　带宽：1TB/s
　　频率：1000MHz
　　电压：1.8V
　　封装形式：BGA
　　数据速率：2Gbps
　　堆叠层数：8层
　　I/O数量：1024
　　接口类型：HBM接口
　　工作温度：-40°C ~ +85°C

H5ANAG6NCMR-WMC 的核心特性之一是其采用的堆叠式硅通孔（TSV）技术，这种先进的封装方式使得多个DRAM芯片垂直堆叠，从而在有限的PCB空间内显著提高了内存带宽和容量。此外，该芯片支持高达1TB/s的带宽，非常适合用于GPU和AI加速器等需要快速数据访问的应用。
　　该芯片还具有低功耗设计，工作电压为1.8V，这在高性能内存中属于较低的功耗水平，有助于降低系统整体能耗和散热压力。同时，H5ANAG6NCMR-WMC具备良好的热管理和信号完整性设计，确保在高频率（1000MHz）下稳定运行。
　　它的1024个I/O引脚和2Gbps的数据速率使得数据传输非常高效，能够满足高带宽应用的需求。该芯片的8层堆叠结构提供了8GB的总容量，适用于需要大量内存缓存的计算任务。此外，其工作温度范围为-40°C至+85°C，适合在各种工业和服务器环境中使用。

H5ANAG6NCMR-WMC 主要应用于高性能计算（HPC）、图形处理单元（GPU）、人工智能（AI）加速器、数据中心服务器、先进网络设备以及高端游戏显卡等需要高带宽内存的场景。其高带宽和低功耗特性使其成为现代计算架构中不可或缺的组成部分。
　　在GPU领域，该芯片可以显著提升图形渲染速度和计算效率，适用于4K/8K视频处理和复杂3D建模任务。在AI加速器中，H5ANAG6NCMR-WMC 提供了快速的数据访问能力，有助于加速深度学习模型的训练和推理过程。此外，在网络设备中，它可用于高速数据包处理和缓存管理，提升整体系统性能。

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　　 "H5ANAG8NMFR-WMC",
　　 "H5ANAG4NMAR-WMC",
　　 "H5ANAG6NAMR-WMC"
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