工作频率：880 - 915 MHz (GSM900)
　　 输出功率：50 W
　　 工作电压：+28 V
　　 功率增益：约60 dB
　　 效率：大于50%
　　 输入驻波比（VSWR）：小于2.0:1
　　 输出驻波比（VSWR）：小于1.5:1
　　 封装形式：表面贴装技术（SMT）
　　 工作温度范围：-40°C 至 +85°C

PMB7900 V2.1C 具备一系列先进特性，使其在无线基站应用中表现出色。首先，该模块采用高效的射频功率放大器设计，能够在高输出功率下保持较低的功耗，从而减少热量生成，提高系统可靠性。其次，PMB7900 V2.1C 内部集成了多级放大电路，包括前级放大器和末级功率放大器，确保信号在经过多级放大后仍能保持良好的线性度和稳定性。
　　 该模块采用了英飞凌先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，提供了高增益、高效率和高线性度的综合性能。LDMOS技术在高频段具有优异的性能表现，使得该模块能够满足GSM和UMTS等复杂调制信号的放大需求。此外，模块内部还集成了保护电路，如过热保护和过压保护，确保在异常工作条件下仍能保持稳定运行。
　　 PMB7900 V2.1C 的封装设计采用了表面贴装技术（SMT），便于在PCB上安装，提高了生产效率并降低了制造成本。同时，其紧凑的封装尺寸使得该模块非常适合用于空间受限的基站设备中。此外，该模块的宽工作温度范围（-40°C 至 +85°C）确保其在各种环境条件下都能稳定工作。

PMB7900 V2.1C 主要应用于GSM和UMTS无线基站系统中，作为射频信号的功率放大模块。该模块适用于宏基站、微基站和射频拉远单元（RRU）等通信设备，用于放大基站发射的射频信号，以提高无线网络的覆盖范围和信号质量。此外，PMB7900 V2.1C 也可用于其他需要高功率射频放大的通信系统中，如专网通信、广播系统和测试测量设备等。

PMB7901 V2.1C, RFPA2843, HMC8205BF10