HY27UF081G2A-TPIB 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的NAND闪存芯片。该芯片的存储容量为1Gbit(128MB),采用8位并行接口,广泛用于需要非易失性存储器的应用,如嵌入式系统、固态硬盘(SSD)、工业控制设备和消费类电子产品。
存储容量:1Gbit
接口类型:8位并行 NAND 接口
电压供应:3.3V
封装类型:TSOP
工作温度:-40°C 至 +85°C
页面大小:512字节 + 16字节(备用区)
块大小:32页/块
读取速度:最高50MB/s
写入速度:最高20MB/s
擦除时间:1ms/块
耐久性:10,000次编程/擦除周期
数据保持时间:10年
HY27UF081G2A-TPIB 是一款高性能、低功耗的NAND闪存芯片,专为嵌入式应用设计。其主要特性包括:8位并行NAND接口,支持高速数据读写操作,适用于大量数据存储需求。芯片采用3.3V单电源供电,简化了电源设计,降低了功耗,非常适合电池供电设备使用。
该芯片的存储结构为1Gbit,分为多个块,每个块包含32个页面,页面大小为512字节加16字节的备用区域,用于存储ECC(错误校正码)或其他元数据。这种结构设计提高了数据可靠性和存储效率。
在性能方面,HY27UF081G2A-TPIB 支持高达50MB/s的读取速度和20MB/s的写入速度,能够满足嵌入式系统对快速数据存取的需求。同时,其擦除速度为每个块1ms,支持10,000次编程/擦除周期,数据保持时间可达10年,具有较高的耐用性和稳定性。
该芯片采用TSOP封装形式,适用于各种工业级应用,且在-40°C至+85°C的宽工作温度范围内仍能保持稳定运行,适合严苛的工业环境。
HY27UF081G2A-TPIB 适用于多种需要非易失性存储的应用场景。其典型应用包括嵌入式系统中的固件存储、便携式电子设备(如MP3播放器、数码相机)中的数据存储、工业控制设备中的程序和数据存储,以及固态硬盘(SSD)的存储单元。此外,由于其低功耗和宽工作温度范围,该芯片也常用于车载电子系统、医疗设备和通信设备中。
K9F1G08U0B-PCB0, NAND1G-SLC, MT29F1G08ABBEAH4-3