CESD323NC36VB 是一款基于硅基材料设计的高效静电放电(ESD)保护二极管阵列,适用于高速数据线路的瞬态电压抑制。该器件采用先进的工艺技术制造,具有超低电容特性,能够有效保护敏感电子设备免受因静电放电、雷击和其他瞬态事件引起的过压损害。
其多通道设计和小封装尺寸非常适合空间受限的应用场景,同时提供卓越的 ESD 防护性能,符合 IEC 61000-4-2 国际标准。
工作电压:±36V
响应时间:≤1ns
最大箝位电压:18V
动态电阻:≤1Ω
漏电流:≤1μA(@VR=36V)
封装形式:SOT-23-6
工作温度范围:-40℃至+85℃
CESD323NC36VB 具有以下主要特性:
1. 超快响应时间,确保在瞬态事件发生时快速启动保护功能。
2. 极低动态电阻,最大限度减少电压降并提升防护合 IEC 61000-4-2 标准,接触放电 ±8kV 和空气放电 ±15kV 的防护能力。
4. 小型化 SOT-23-6 封装,适合紧凑型电路设计。
5. 多通道设计,可同时保护多条数据线。
6. 超低负载电容(典型值为 0.7pF),对信号完整性影响较小,特别适合高速数据传输应用。
7. 工作电压范围宽广,适应多种应用场景需求。
该元器件广泛应用于各种需要 ESD 防护的场景,包括但不限于以下领域:
1. USB 接口保护,如 USB 2.0/3.0 等高速数据接口。
2. HDMI、DisplayPort 等视频接口防护。
3. 移动设备中的天线端口保护。
4. 以太网 PHY 和其他高速通信接口的瞬态电压抑制。
5. 工业控制设备中的输入输出端口防护。
6. 汽车电子系统中敏感元件的保护。
PESD3V3T6BM, SM712, CDSOD323NC36VB