您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > PLR135/T1

PLR135/T1 发布时间 时间:2025/8/29 14:39:59 查看 阅读:9

PLR135/T1是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型功率MOSFET,适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。该器件采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻(RDS(on)),从而降低了导通损耗并提高了效率。

参数

类型:N沟道
  最大漏极电流(ID):8A
  最大漏源电压(VDS):30V
  最大栅源电压(VGS):20V
  导通电阻(RDS(on)):35mΩ(典型值,VGS=10V)
  功率耗散(PD):44W
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

PLR135/T1采用了先进的沟槽式MOSFET技术,提供了较低的导通电阻,从而降低了导通损耗,提高了系统的整体效率。此外,该器件具有较高的电流承受能力和良好的热稳定性,适用于高负载和高温环境下的工作条件。
  该MOSFET的封装形式为TO-252,便于散热和安装,适合在紧凑型电源设计中使用。其高耐压特性使其能够应用于多种电源转换器和负载开关设计中。
  此外,PLR135/T1具备良好的抗雪崩能力和高可靠性,能够在复杂的电气环境中保持稳定运行,适用于工业控制、电源管理和汽车电子等要求较高的应用场景。

应用

PLR135/T1广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制、电池管理系统以及各类工业电源设备中。由于其低导通电阻和高效率特性,也常用于电源管理和节能型电子产品中。

替代型号

Si2302DS, FDS6675, IRF7413

PLR135/T1推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

PLR135/T1资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

PLR135/T1参数

  • 制造商Everlight
  • 产品种类光纤发射器、接收器、收发器
  • 产品Receiver Modules
  • 数据速率16 Mbps
  • 波长650 nm
  • 最大工作温度+ 70 C
  • 最小工作温度- 20 C
  • 封装Bulk
  • 连接器类型No Connector
  • 纤维类型Plastic Fiber
  • 安装风格Through Hole
  • 峰值波长650 nm
  • 电源电压2.4 V to 5.5 V