PLR135/T1是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型功率MOSFET,适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。该器件采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻(RDS(on)),从而降低了导通损耗并提高了效率。
类型:N沟道
最大漏极电流(ID):8A
最大漏源电压(VDS):30V
最大栅源电压(VGS):20V
导通电阻(RDS(on)):35mΩ(典型值,VGS=10V)
功率耗散(PD):44W
工作温度范围:-55°C至175°C
PLR135/T1采用了先进的沟槽式MOSFET技术,提供了较低的导通电阻,从而降低了导通损耗,提高了系统的整体效率。此外,该器件具有较高的电流承受能力和良好的热稳定性,适用于高负载和高温环境下的工作条件。
该MOSFET的封装形式为TO-252,便于散热和安装,适合在紧凑型电源设计中使用。其高耐压特性使其能够应用于多种电源转换器和负载开关设计中。
此外,PLR135/T1具备良好的抗雪崩能力和高可靠性,能够在复杂的电气环境中保持稳定运行,适用于工业控制、电源管理和汽车电子等要求较高的应用场景。
PLR135/T1广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制、电池管理系统以及各类工业电源设备中。由于其低导通电阻和高效率特性,也常用于电源管理和节能型电子产品中。
Si2302DS, FDS6675, IRF7413