时间：2025/8/29 14:39:59
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PLR135/T1是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗并提高了效率。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：8A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：20V
导通电阻（RDS(on)）：35mΩ（典型值，VGS=10V）
功率耗散（PD）：44W
工作温度范围：-55°C至175°C
PLR135/T1采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了较低的导通电阻，从而降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件具有较高的电流承受能力和良好的热稳定性，适用于高负载和高温环境下的工作条件。
该MOSFET的封装形式为TO-252，便于散热和安装，适合在紧凑型电源设计中使用。其高耐压特性使其能够应用于多种电源转换器和负载开关设计中。
此外，PLR135/T1具备良好的抗雪崩能力和高可靠性，能够在复杂的电气环境中保持稳定运行，适用于工业控制、电源管理和汽车电子等要求较高的应用场景。
PLR135/T1广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制、电池管理系统以及各类工业电源设备中。由于其低导通电阻和高效率特性，也常用于电源管理和节能型电子产品中。
Si2302DS, FDS6675, IRF7413
