时间：2025/8/14 11:00:42
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PJW4N06A-AU_R2_000A1 是一款由 Renesas（瑞萨电子）推出的 N 沟道功率 MOSFET，主要用于高效率功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高耐压特性，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电源管理系统等领域。该封装为小型 TSON 封装，具有良好的热性能和空间利用率。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：40A（Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大 6.2mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TSON（4.9mm x 6.0mm）
功率耗散（Pd）：110W
PJW4N06A-AU_R2_000A1 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗，提高了效率。
其高耐压能力（60V）使其适用于多种功率转换拓扑结构，如同步整流、Buck/Boost 转换器等。
该器件的封装设计优化了热管理性能，在高电流工作条件下仍能保持良好的散热能力，提升了器件的可靠性。
此外，其栅极驱动电压范围宽（可达 10V~20V），便于与多种驱动电路配合使用，增强了设计灵活性。
该 MOSFET 具有较低的输入电容和反向恢复电荷，有助于减少开关损耗，提高系统效率。
符合 RoHS 环保标准，适用于工业级和汽车电子应用。
PJW4N06A-AU_R2_000A1 广泛应用于各种功率电子系统中，包括但不限于：
DC-DC 转换器，特别是在高效率、高功率密度设计中；
电源管理系统中的负载开关或热插拔控制；
电动工具、无人机、工业自动化设备的电机驱动电路；
电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关；
汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、DC-AC 逆变器等；
服务器和通信设备的电源模块中，用于实现高效率的功率转换。
IPW65R060C7, SiRA34DP-T1-GE3, FDD8880, IRF3710, AO4407A
