工作频率范围：2.3 GHz - 2.7 GHz
　　输出功率：典型值为120 W（连续波）
　　增益：约18 dB（典型值）
　　效率：超过65%
　　漏极电压：最大28 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：螺栓安装法兰封装
　　输入和输出阻抗：50 Ω
　　封装尺寸：典型为38.1 mm x 12.7 mm x 5.1 mm

QPD1025L采用先进的GaAs（砷化镓）HEMT技术，具有优异的高频性能和高功率密度。该晶体管在2.3 GHz至2.7 GHz频段内表现出卓越的增益和效率，适合高线性度要求的应用。其高效率特性有助于降低功耗，提高系统可靠性，并减少散热需求。此外，QPD1025L的封装设计优化了热管理和射频连接，确保在高功率操作下的稳定性和长寿命。它还具备良好的抗失真能力，适用于需要高信号保真度的通信系统。该器件的输入和输出匹配良好，简化了外围电路设计，降低了系统集成难度。QPD1025L还具备良好的抗过载能力和稳定性，能够在恶劣的工作条件下保持高性能。
　　QPD1025L的另一个显著特点是其宽工作温度范围，从-40°C到+85°C，确保其在各种环境条件下都能稳定运行。这使其适用于户外和工业级设备。此外，该晶体管的封装设计考虑了高频应用的需求，确保了良好的阻抗匹配和最小的信号损耗。这种特性使其在多载波和宽带应用中表现出色。

QPD1025L主要用于无线通信基础设施，如4G LTE和5G NR基站的射频功率放大器模块。它也被广泛用于雷达系统、测试设备、工业加热和医疗射频设备等高功率射频应用。由于其高效率和高线性度特性，该器件非常适合用于需要高输出功率和良好信号质量的通信系统。此外，QPD1025L也适用于宽带无线接入系统、点对点微波通信和广播系统中的射频功率放大环节。该器件的高可靠性使其成为基站、军事通信和卫星通信系统中不可或缺的组件。

CGH40120, NPT1007, QPD1015