PJU4NA65 时间：2025/8/14 22:38:27 阅读：18

PJU4NA65 是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频开关应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特点，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各种需要高效能功率开关的场合。PJU4NA65的封装形式为SOP（小外形封装），便于在紧凑型电路设计中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：100A
　　最大漏源电压（Vds）：650V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大4.5mΩ
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　最大功耗（Ptot）：300W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：SOP

特性

PJU4NA65 的主要特性之一是其极低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用了东芝先进的沟槽栅技术，优化了导通特性和开关特性，能够在高频工作条件下保持稳定性能。此外，PJU4NA65具有较高的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下长时间工作而不影响性能。
　　另一个重要特性是其良好的抗雪崩能力，能够在突发的高电压条件下提供一定的保护作用，适用于高能效电源转换系统。该MOSFET的栅极驱动设计较为简单，兼容标准的10V和12V驱动电压，便于在各种控制系统中使用。SOP封装形式不仅节省空间，还具备良好的散热性能，适合高密度电路板设计。