时间：2025/8/14 22:50:55
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PJU3NA50是一种N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东芝（Toshiba）生产。这种类型的MOSFET通常用于高功率应用，例如开关电源、DC-DC转换器和马达控制器。PJU3NA50以其高耐压和高电流能力著称，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：3A
功率耗散（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
导通电阻（Rds(on)）：典型值为3.5Ω
PJU3NA50具有低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。其高耐压特性使其能够在高压环境下稳定工作，适用于各种电源管理应用。此外，该器件具有快速开关特性，能够有效降低开关损耗，从而提高整体系统效率。封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，适用于需要高可靠性的工业和消费类电子产品。
该MOSFET还具有良好的热稳定性和过载能力，能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽，支持灵活的电路设计。此外，PJU3NA50的结构设计优化了其在高频率下的工作性能，适用于高频开关应用。
PJU3NA50常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、马达控制器、照明镇流器以及工业自动化设备中的功率控制部分。由于其高耐压和高电流能力，该器件也适用于需要高效能和高可靠性的消费类电子产品，如家用电器和音频功率放大器。此外，它还可用于电池管理系统和不间断电源（UPS）等需要高稳定性和可靠性的应用中。
TK11A50D, 2SK2545, 2SK2648
