时间：2025/8/14 5:02:44
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PJMP390N65EC_T0_00001 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高功率和高效率的电源转换应用，例如在电源供应器、电池充电器和DC-DC转换器中。这款MOSFET具有较高的电压和电流处理能力，适用于需要高可靠性和稳定性的电子系统。
类型: N沟道MOSFET
漏源电压(Vds): 650V
漏极电流(Id): 39A
导通电阻(Rds(on)): 0.055Ω
封装类型: TO-247
工作温度范围: -55°C至150°C
栅极电荷(Qg): 170nC
输入电容(Ciss): 1400pF
功率耗散(Pd): 300W
PJMP390N65EC_T0_00001 MOSFET具有多项显著的性能特点。其650V的漏源电压额定值使其适用于中高功率的电源管理应用，能够承受较高的电压应力，提高系统稳定性。该器件的导通电阻仅为0.055Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体效率。此外，该MOSFET具有170nC的栅极电荷和1400pF的输入电容，这些参数优化了开关性能，减少了开关损耗，使其在高频操作中表现出色。采用TO-247封装，不仅提供了良好的热管理性能，还方便在电路板上安装和散热。
该MOSFET的额定漏极电流为39A，在适当的散热条件下可保持持续工作，确保在高负载条件下仍能稳定运行。其300W的功率耗散能力也意味着它能够承受较大的热负荷，适用于高功率密度的设计。此外，该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，确保在极端环境条件下也能正常工作，提高了设备的可靠性和耐用性。
该MOSFET主要应用于各类电源系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池充电器以及工业自动化控制系统。由于其高电压和高电流处理能力，PJMP390N65EC_T0_00001 特别适合需要高效能和高可靠性的功率转换电路。例如，在服务器电源或工业电源设备中，它可以作为主开关元件，提供高效的功率输出；在电机驱动系统中，可用于控制电机的启停和调速；而在电池管理系统中，则可用于控制电池的充放电过程。此外，该器件也适用于太阳能逆变器和UPS（不间断电源）系统等高功率应用领域。
STP390NM65N, IPW65R055CFD7, FQP390N65C
