时间：2025/8/14 8:54:31
阅读：16
PJMD390N65EC_L2_00001是一款高性能的N沟道功率MOSFET，专为高电压、高电流应用设计。该器件采用先进的屏蔽栅（Shielded Gate）技术，实现了更低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能。封装形式为TO-247，适用于需要高效能和高可靠性的电源系统。其主要设计目标是在650V电压范围内提供高效率、低损耗的功率转换解决方案。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
漏极电流（Id）：39A
导通电阻（Rds(on)）：约0.039Ω（具体值可能因测试条件而异）
栅极电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
功率耗散（Pd）：约150W
技术：屏蔽栅（Shielded Gate）技术
配置：单管
PJMD390N65EC_L2_00001的主要特性包括采用屏蔽栅技术，显著降低了导通电阻和开关损耗，从而提升了整体效率。这种MOSFET在高温环境下依然保持稳定性能，适用于要求高可靠性的工业和汽车应用。
此外，该器件具有优异的热稳定性，能够在高电流和高电压条件下长时间运行而不会出现明显的性能退化。其低导通电阻减少了功率损耗，有助于降低系统温度并提高能源利用率。
屏蔽栅技术还使得该MOSFET具有更快的开关速度，从而减少了开关损耗，进一步提升了高频应用中的效率。这种特性特别适用于开关电源（SMPS）、电机驱动器和DC-DC转换器等应用场景。
TO-247封装提供了良好的散热性能，确保在高功率应用中能够有效散发热量，避免过热导致的性能下降或损坏。
该MOSFET广泛应用于各种高功率和高电压场景，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）：用于高效能电源供应器，提供稳定的直流输出。
2. 电机驱动器：适用于需要高电流驱动能力的电动工具和工业自动化设备。
3. DC-DC转换器：用于高效转换不同电压等级的直流电源系统。
4. 逆变器：用于将直流电转换为交流电的太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统。
5. 汽车电子：用于电动车（EV）和混合动力车（HEV）中的功率转换模块，确保高可靠性和高效率。
IXFN390N65X2, IPP390N65EC7
