FV42N150J302ECG 是一款高性能的 N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管 (IGBT),主要用于高频和高功率应用领域。该器件采用了先进的 IGBT 技术,能够提供较低的导通压降和开关损耗,从而提高了整体效率。
该型号特别适用于工业电机驱动、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及其他需要高效能量转换的应用场景。
额定电压:1500V
额定电流:42A
集电极-发射极饱和电压:≤2.2V
门极阈值电压:6V 至 8V
最大工作结温:-55℃ 至 +175℃
存储温度范围:-55℃ 至 +150℃
功耗:45W
封装类型:ECG
FV42N150J302ECG 提供了出色的开关性能和低导通损耗。其主要特点包括:
1. 高阻断电压能力,适合高压环境下的操作。
2. 快速开关速度,降低了开关过程中的能量损耗。
3. 热稳定性好,在极端温度条件下仍能保持稳定的性能。
4. 内置反并联二极管,有助于保护电路免受过电流的影响。
5. 良好的短路耐受能力,增强了器件在异常条件下的可靠性。
6. 封装设计紧凑且易于安装,符合现代工业设备对小型化的需求。
这款 IGBT 广泛应用于以下领域:
1. 工业电机控制和驱动系统。
2. 不间断电源 (UPS) 和应急电源系统。
3. 太阳能逆变器及风力发电设备。
4. 电动汽车的牵引逆变器。
5. 高频感应加热设备。
6. 其他需要高效率和高可靠性的电力电子装置。
FV42N150J302ECA, FV42N150J302ECB