时间：2025/6/26 21:00:01
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GA1210Y684MBXAT31G 是一款高性能的存储芯片，属于 NAND Flash 存储器系列。该芯片主要用于需要大容量数据存储的应用场景，例如固态硬盘（SSD）、嵌入式设备和消费类电子产品等。其设计优化了读写速度和耐用性，同时保持较低的功耗水平。
该型号集成了先进的 3D NAND 技术，能够在较小的体积内提供更高的存储密度。此外，它支持多种接口标准，能够灵活适配不同的硬件平台。
容量：128GB
接口类型：PCIe NVMe
工作电压：1.8V
数据传输速率：3500 MB/s（顺序读取），2500 MB/s（顺序写入）
擦写周期：3000 次
工作温度范围：0°C 至 70°C
封装形式：BGA
I/O 引脚数：80
GA1210Y684MBXAT31G 具备以下主要特性：
1. 高性能：采用 PCIe NVMe 接口，提供高达 3500 MB/s 的顺序读取速度和 2500 MB/s 的顺序写入速度，适合对速度要求较高的应用。
2. 高可靠性：基于 3D NAND 技术，具备更高的擦写周期和数据保持能力。
3. 低功耗：优化的电路设计确保在运行时消耗更少的电量，特别适合移动设备。
4. 多功能性：支持端到端数据保护、坏块管理以及磨损均衡等功能，延长使用寿命。
5. 小型化设计：BGA 封装形式使其易于集成到紧凑型设备中。
GA1210Y684MBXAT31G 广泛应用于以下领域：
1. 固态硬盘（SSD）：作为核心存储单元，提供高速的数据存取能力。
2. 嵌入式系统：用于工业控制、医疗设备和网络通信设备中的数据存储。
3. 消费电子：如平板电脑、智能电视和数码相机等产品中，满足用户对大容量存储的需求。
4. 车载电子：为汽车导航系统和信息娱乐系统提供可靠的数据存储解决方案。
GA1210Y684MBXBT31G, GA1210Y684MBXCT31G
