类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：50A
　　导通电阻（Rds(on)）：@10V Vgs，约0.018Ω；@4.5V Vgs，约0.025Ω
　　功率耗散（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

PJD50N10L_L2_00001 的核心特性之一是其极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该MOSFET在10V栅极驱动电压下，Rds(on)仅约为0.018Ω，非常适合用于高电流应用场景。此外，该器件支持高达50A的连续漏极电流，能够在高负载条件下保持稳定工作。
　　另一个关键特性是其采用的沟槽式MOSFET技术，该技术通过优化芯片结构来减少电场集中效应，从而提高器件的耐压能力和可靠性。同时，该MOSFET具有快速开关特性，减少了开关损耗，使其适用于高频开关电源设计。
　　热性能方面，PJD50N10L_L2_00001 采用TO-263表面贴装封装，具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。其150W的最大功耗允许在高负载条件下持续运行，并且支持宽工作温度范围（-55°C至+175°C），适用于工业级和汽车级应用环境。

PJD50N10L_L2_00001 广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、马达控制电路、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统中的电源模块。由于其低Rds(on)和高电流能力，该器件特别适合用于需要高效率和小尺寸封装的电源设计。
　　在服务器电源、通信电源和工业电源系统中，PJD50N10L_L2_00001 常被用作主开关或同步整流器，以提高整体能效。在汽车电子方面，该MOSFET可用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器和电池保护电路等关键部件。此外，该器件也适用于太阳能逆变器、UPS不间断电源以及储能系统等高功率应用领域。

SiHH50N100D、IPW60R100C6、STP50NF10、FDP50N10A、IRF540N