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LMBR330FT1G IC 发布时间 时间:2025/8/13 1:47:03 查看 阅读:14

LMBR330FT1G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的表面贴装肖特基势垒整流器。该器件设计用于高效率的电源应用,具有低正向电压降和快速开关特性,适合在高频率的DC-DC转换器、电源适配器和其他功率电子设备中使用。

参数

最大重复反向电压(VRRM):30V
  最大正向电流(IF):3A
  正向电压(VF):0.35V(典型值)
  反向漏电流(IR):0.1mA(最大值)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-252(DPAK)
  安装类型:表面贴装

特性

LMBR330FT1G 肖特基二极管具有多项优异特性,首先是其低正向电压降,通常在3A电流下仅为0.35V,这有助于减少导通损耗,提高整体电源转换效率。由于采用了肖特基势垒技术,该器件具有极快的恢复时间,几乎无反向恢复电荷,这使其特别适合高频开关应用。
  此外,LMBR330FT1G 采用TO-252(DPAK)表面贴装封装,具有良好的热性能和机械稳定性,适用于自动化生产和回流焊工艺。其工作温度范围宽,从-55°C至+150°C,适用于各种严苛环境条件下的应用。
  该器件的反向漏电流极低,在25°C下最大仅为0.1mA,即使在高温环境下也能保持良好的稳定性。这种特性使其在电池供电设备和低功耗系统中表现出色,有助于延长设备的使用时间。
  LMBR330FT1G 还具有较高的可靠性,适用于工业、汽车和消费类电子等多个领域。由于其快速响应和低损耗特性,常被用于同步整流、DC-DC转换器、OR-ing电路以及电源管理模块中。

应用

LMBR330FT1G 主要应用于需要高效能和高频操作的电子系统中。常见的应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电源适配器、电池充电器、OR-ing电路、电源管理系统、汽车电子设备以及工业控制设备。该器件特别适合用于同步整流拓扑结构,以提高电源转换效率并减少热损耗。

替代型号

LMBR330WFT1G, LMBR340TFT1G

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