时间：2025/8/14 13:00:33
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PJD50N04_L2_00001 是一款由Power Jiang Technology（力特半导体）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换系统中。该器件设计用于高效能、高可靠性的场景，具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和大电流承载能力，适用于DC-DC转换器、负载开关、马达控制、电源管理系统等多种电力电子应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：50A
导通电阻（Rds(on)）：约7.5mΩ（在Vgs=10V时）
功耗（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-252（DPAK）或TO-263（D2PAK）
PJD50N04_L2_00001 具备多项优异性能，首先其低导通电阻可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性，能够适应高功率密度的设计需求。此外，PJD50N04_L2_00001 还具有良好的栅极电荷特性，使其在高频开关应用中表现出较低的开关损耗。该器件的封装形式（如TO-252或TO-263）便于散热，适用于表面贴装工艺，提高生产效率。
在可靠性方面，PJD50N04_L2_00001 采用了先进的硅片制造工艺和封装技术，具备良好的抗静电能力和过温耐受能力，适用于工业级和汽车电子应用。此外，其栅极氧化层具备较高的击穿电压，确保在复杂电磁环境中稳定运行。
PJD50N04_L2_00001 主要应用于各类功率电子系统中，包括但不限于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电源管理模块、电动工具、电动车辆（EV）和混合动力车辆（HEV）的电池管理系统、工业自动化设备、电机控制电路、负载开关和热插拔电源控制等场景。其优异的导通特性和热稳定性使其成为高效率电源设计的理想选择。
在消费电子领域，该器件可用于高功率快充适配器、移动电源管理电路和智能家电的功率控制模块。在工业应用中，它适用于PLC控制器、伺服驱动器、LED照明电源等需要高效能功率开关的场合。
Si4410DY-T1-GE3, FDS4410A, IRLB8721, FDD50N06, PJD60N04_L2_00001
