时间：2025/8/14 2:23:21
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LBC858BLT1G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的NPN型双极性晶体管（BJT），广泛用于小信号放大和开关应用。该器件采用SOT-23封装，适合于需要紧凑布局和低功耗设计的电路中。LBC858BLT1G属于LBC858系列的一部分，该系列包括多个不同极性的晶体管型号，以满足不同的设计需求。
晶体管类型：NPN BJT
集电极-发射极电压（Vce）：30V
集电极-基极电压（Vcb）：30V
发射极-基极电压（Veb）：5V
集电极电流（Ic）：100mA
功耗（Pd）：300mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
存储温度范围：-55°C ~ 150°C
增益带宽积（fT）：100MHz
电流增益（hFE）：110（最小值，Ic=2mA, Vce=5V）
LBC858BLT1G具有多种特性，使其在各类电子应用中表现出色。首先，其最大集电极-发射极电压（Vce）为30V，使其适用于中等电压的电路设计。同时，集电极电流（Ic）额定值为100mA，能够支持中等功率的信号放大和开关操作。晶体管的增益带宽积（fT）为100MHz，表明其在高频应用中也能保持良好的性能，适合用于射频（RF）和音频放大器电路。
此外，LBC858BLT1G的电流增益（hFE）在典型工作条件下（Ic=2mA, Vce=5V）最小为110，具有较高的放大能力。该晶体管采用SOT-23封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。其功耗（Pd）为300mW，能够在不使用散热器的情况下稳定工作，适合低功耗设计。
该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，确保在极端环境条件下仍能可靠运行，适用于工业级和汽车电子应用。此外，其存储温度范围同样为-55°C至150°C，保证在各种存储条件下不会损坏。
LBC858BLT1G适用于多种电子电路应用，包括小信号放大器、开关电路、逻辑门电路和缓冲器等。在音频放大器中，它可以用作前置放大器或驱动级放大器，提供稳定的增益和较低的噪声性能。在数字电路中，LBC858BLT1G可作为开关元件，控制LED、继电器、小型电机等负载。此外，它还常用于传感器接口电路中，作为信号调理和放大部分的关键组件。
由于其高频性能良好，LBC858BLT1G也适用于射频（RF）前端电路，例如低噪声放大器（LNA）和混频器。在汽车电子系统中，它可以用于车身控制模块、仪表盘显示驱动以及传感器信号处理单元。此外，在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该晶体管可用于电源管理、音频处理和无线通信模块的信号放大等环节。
BC847BLT1G, 2N3904, PN2222A
