IXDI504SIAT/R 时间：2025/8/6 10:18:49 阅读：22

IXDI504SIAT/R 是一款由 IXYS 公司制造的双通道高速MOSFET和IGBT驱动器集成电路。该芯片专为功率电子应用设计，具备高性能和高可靠性，能够提供高效的开关控制能力。IXDI504SIAT/R采用8引脚TSSOP封装，适合用于紧凑型电源设计中。

参数

制造商：IXYS
　　类型：MOSFET/IGBT驱动器
　　通道数：2
　　封装类型：TSSOP-8
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　电源电压：10V 至 20V
　　最大输出电流：4.0A（峰值）
　　输入信号类型：CMOS/TTL兼容
　　传播延迟：约17ns（典型值）
　　上升/下降时间：约5ns（典型值）

特性

IXDI504SIAT/R具有高速驱动能力，适用于高频开关应用。其低传播延迟和快速上升/下降时间确保了系统效率的提升，同时减少了开关损耗。
　　芯片内置欠压锁定（UVLO）保护功能，能够在电源电压不足时自动关闭输出，从而保护功率器件不受损坏。
　　此外，IXDI504SIAT/R具备交叉传导保护功能，防止上下桥臂同时导通导致的短路问题，适用于半桥和全桥拓扑结构的功率转换器设计。
　　该器件还具有较强的抗干扰能力，能够有效应对工业环境中的电磁干扰（EMI）问题，确保系统稳定运行。
　　由于其紧凑的TSSOP-8封装形式，IXDI504SIAT/R非常适用于空间受限的设计场景，例如DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器以及电源管理系统等。

应用

IXDI504SIAT/R广泛应用于各种电力电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-AC逆变器、电机控制器、光伏逆变器、电动汽车充电系统、UPS不间断电源以及工业自动化设备中的功率驱动电路。
　　其高速特性和可靠性使其成为需要高效率和快速响应的功率变换应用中的理想选择。
　　此外，该芯片也可用于驱动MOSFET和IGBT模块，在高功率密度设计中发挥关键作用。