时间：2025/8/15 1:49:44
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PJD1NA80是一款由STMicroelectronics生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频率开关应用。该器件采用先进的SuperMESH技术，具有低导通电阻和出色的开关性能，适用于电源转换器、马达控制、照明系统及各种电力电子设备。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：800V
漏极电流(Id)：1.5A（连续）
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.1V至4V
导通电阻(Rds(on))：1.5Ω @ Vgs=10V
封装类型：TO-92
工作温度范围：-55°C至150°C
PJD1NA80 MOSFET基于STMicroelectronics的SuperMESH技术，显著降低了导通电阻并提高了能效。该器件具有优异的热稳定性和高耐压能力，使其在高电压应用中表现出色。此外，PJD1NA80具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。其低栅极电荷(Qg)和输出电容(Coss)进一步优化了高频操作性能。
该MOSFET设计用于应对高dv/dt环境，具有良好的抗雪崩能力和高可靠性。其TO-92封装形式便于安装，适用于多种电路布局。PJD1NA80广泛应用于开关电源(SMPS)、LED照明驱动器、电机控制电路以及各种工业自动化设备。
PJD1NA80 MOSFET常用于开关电源(SMPS)、LED照明驱动器、电机控制电路、工业自动化设备以及高电压直流-直流转换器。其优异的高频特性也使其适用于谐振变换器和准谐振变换器设计。
PJD1NA80的替代型号包括STMicroelectronics的PJD1NA60、PJD1NA70以及PJD1NA90，这些型号在额定电压和性能方面相似，可根据具体应用需求进行选择。
