FMV17N60ES是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的平面工艺技术制造,具有低导通电阻、高开关速度和优良的热性能,适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等多种应用场合。FMV17N60ES采用TO-220封装形式,具有良好的散热性能和机械稳定性。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):17A
最大漏极-源极电压(VDS):600V
最大栅极-源极电压(VGS):±30V
导通电阻(RDS(on)):0.26Ω(最大值,典型值0.22Ω)
阈值电压(VGS(th)):2V至4V
最大功耗(PD):50W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:TO-220
FMV17N60ES功率MOSFET采用了先进的平面工艺技术,使其在导通电阻和开关损耗之间达到了良好的平衡。该器件的低导通电阻(RDS(on))有助于降低导通状态下的功率损耗,提高系统效率。此外,FMV17N60ES具有较高的耐压能力,能够在600V的漏极-源极电压下稳定工作,适用于高压电源应用。
该器件的高开关速度特性使其在高频开关应用中表现出色,有助于减小电源系统的体积和重量。同时,FMV17N60ES的热稳定性良好,在高功率工作条件下仍能保持稳定的性能。TO-220封装提供了良好的散热能力,确保器件在高负载下也能有效散热。
另外,FMV17N60ES具备较强的抗过载能力和短路保护性能,能够在突发的电流冲击或负载异常情况下保持器件的安全运行。这使得它在工业电源、家电控制和电动工具等应用中具有很高的可靠性。
FMV17N60ES广泛应用于各类功率电子设备中,特别是在开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、LED驱动器、电机控制器、电焊机和变频器等设备中发挥重要作用。它也常用于工业自动化设备、家电产品、电源适配器以及新能源系统的功率管理模块中。
由于其高压耐受能力和高效率特性,FMV17N60ES特别适合用于需要高效能转换的AC-DC电源模块和太阳能逆变器等可再生能源系统。在电动工具和汽车电子领域,该器件也常用于电机驱动和负载控制电路中,提供稳定可靠的功率控制能力。
FQA17N60C、IRFZ44N、STP17N60DM2、TK17A60D