类型：射频功率晶体管
　　技术：LDMOS
　　封装类型：SOT-1019-1
　　最大漏极电流（ID(max)）：1.2 A
　　最大漏源电压（VDS(max)）：65 V
　　最大栅源电压（VGS(max)）：±20 V
　　输出功率（CW）：250 W（典型值，@2.1 GHz）
　　增益：>26 dB
　　效率：>60%
　　工作频率范围：1.8 GHz - 2.7 GHz
　　热阻（Rth(j-c)）：0.15°C/W

PJA3413-AU具有多个显著的性能优势。首先，其采用LDMOS技术，使得该晶体管在高频下仍能保持出色的性能，适用于1.8 GHz至2.7 GHz的广泛频率范围，涵盖了许多无线通信标准，如W-CDMA、LTE等。其次，该器件能够提供高达250 W的连续波（CW）输出功率，同时具备高增益和高效率，这有助于减少系统的功耗并提高整体性能。
　　此外，PJA3413-AU的封装设计优化了热管理，确保在高功率运行时的稳定性。其低热阻（Rth(j-c)为0.15°C/W）意味着热量能迅速从芯片传导至散热器，降低了热失效的风险，从而提高了器件的可靠性和寿命。该晶体管还具有良好的线性度，适用于需要高信号保真的应用，如蜂窝基站和无线基础设施设备。
　　在使用过程中，PJA3413-AU还表现出良好的输入/输出匹配特性，减少了外部匹配元件的需求，简化了电路设计并降低了整体成本。

PJA3413-AU主要用于无线通信基础设施，如4G LTE和W-CDMA基站的功率放大器模块。它也可用于广播系统、测试设备、工业射频加热设备以及需要高功率射频放大的应用场合。由于其高效率和高线性度的特性，特别适合用于多载波和宽带通信系统中，以满足现代通信对高数据速率和频谱效率的需求。

BLF881A, AFT05MS004N, MRF6VP21500