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PJA3411-AU_R2_000A1 发布时间 时间:2025/8/14 4:35:50 查看 阅读:17

PJA3411-AU_R2_000A1 是一款由 Panasonic(松下)公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效能功率转换应用设计。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高功率密度和良好的热稳定性,适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):60A(@Tc=25℃)
  导通电阻(Rds(on)):@Vgs=10V时,典型值为5.5mΩ;@Vgs=4.5V时,典型值为7.5mΩ
  功率耗散(Pd):120W
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装形式:LFPAK56(也称为Power-SO8)

特性

PJA3411-AU_R2_000A1 的核心特性之一是其极低的导通电阻,这使得它在高电流应用中具有较低的导通损耗,从而提高了系统的整体效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,提供了优异的开关性能和导通性能。
  此外,该MOSFET采用LFPAK56封装,这是一种高密度、低热阻的表面贴装封装形式,有助于提高散热效率并简化PCB布局。这种封装形式还具有良好的机械稳定性和焊接可靠性,适用于自动化生产和高温操作环境。
  该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持4.5V至10V的栅极驱动电压,便于与不同类型的驱动电路兼容。同时,PJA3411-AU_R2_000A1 还具有较高的雪崩能量耐受能力,增强了其在高应力工作条件下的可靠性和耐用性。
  由于其优异的热性能和电气性能,PJA3411-AU_R2_000A1 适用于各种功率电子设备,如服务器电源、通信设备电源、工业自动化设备和电池管理系统等。

应用

PJA3411-AU_R2_000A1 广泛应用于需要高效功率控制的系统中,如同步整流DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池充电器和放电电路、服务器和网络设备的电源管理模块,以及工业控制系统中的功率开关。
  在DC-DC转换器中,该器件可以作为主开关或同步整流器,显著降低导通损耗并提升转换效率。在电机控制应用中,其低Rds(on)和高电流能力使其能够驱动大功率电机负载,同时保持较低的温升。此外,该器件也适用于电池管理系统中的充放电控制,提供高效的能量传输路径。
  由于其封装形式适合表面贴装工艺,PJA3411-AU_R2_000A1 也广泛用于需要高密度PCB布局和自动焊接工艺的现代电子产品中。

替代型号

SiSSPM65R015P7, Infineon BSC050N06NS5, ON Semiconductor NVTFS5C471NLWT, Toshiba TPC8107

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PJA3411-AU_R2_000A1参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.1A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)100 毫欧 @ 3.1A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)5.4 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)416 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.25W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-23
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3