IXGT20N120 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 IGBT(绝缘栅双极型晶体管),主要用于需要高电压和高电流处理能力的应用,如工业电机控制、逆变器、电源系统和电力电子设备。这款 I GBT 的最大集电极-发射极电压(VCES)为 1200V,最大集电极电流(IC)为 20A(在特定温度条件下),具有较低的导通压降和开关损耗,使其在高频和高效率应用中表现出色。
类型:IGBT
最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
最大集电极电流(IC):20A(在TC=100℃时)
最大栅极-发射极电压(VGE):±20V
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
导通压降(VCEsat):典型值 2.1V(在IC=20A, VGE=15V)
短路耐受能力:有
封装形式:TO-247
IXGT20N120 的核心特性包括其高电压阻断能力和较高的电流处理能力,使其适用于多种高功率应用。该 IGBT 采用先进的硅技术,提供较低的导通压降和开关损耗,提高了系统的整体效率。
此外,该器件具有良好的短路耐受能力,能够在短时间的短路条件下保持稳定运行,从而提高系统的可靠性和安全性。
IXGT20N120 的栅极驱动特性相对简单,可以通过标准的IGBT或MOSFET驱动电路进行控制,这简化了设计和应用过程。
该器件还具有良好的热稳定性,能够在较高温度环境下运行,同时保持稳定的性能。这使得 IXGT20N120 在高温工作条件下依然能够保持较长的使用寿命和可靠性。
IXGT20N120 适用于多种高功率电子系统,包括但不限于工业电机驱动器、变频器、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器、焊接设备、电源转换器和电能质量调节设备。
在工业自动化领域,它常用于控制大功率电机的速度和方向,实现高效节能的电机控制。
在可再生能源领域,如太阳能和风能转换系统,IXGT20N120 用于将直流电转换为交流电以供电网使用。
此外,该器件也广泛用于电源管理和电能存储系统中,以实现高效的能量转换和分配。
IXYS 公司的其他类似型号如 IXGT25N120(更高电流能力)、英飞凌 Technologies 的 IKW20N120H3、富士电机的 2MBI20N-120E 和东芝的 GT20N120D 等也可作为替代选项,具体选择需根据应用需求和性能参数进行评估。