时间：2025/5/13 13:38:26
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PHP3N50E是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高电压切换的应用场景中。PHP3N50E具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低功耗并提升系统效率。
其设计适用于多种工业和消费电子领域，凭借出色的耐用性和可靠性，成为许多工程师在设计高压电路时的首选元器件。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：3.2A
栅极-源极电压（最大）：±20V
导通电阻（典型值）：1.9Ω
总功耗：78W
工作温度范围：-55℃至+150℃
PHP3N50E的主要特性包括：
1. 高耐压能力：支持高达500V的漏源电压，使其非常适合高压应用环境。
2. 低导通电阻：在高电流应用场景下减少功耗，提高整体效率。
3. 快速开关性能：具备短开关时间，从而降低开关损耗。
4. 热稳定性强：能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
5. 小尺寸封装：有助于节省PCB空间，简化设计布局。
6. 可靠性高：通过了严格的测试标准，确保长期使用中的耐用性。
PHP3N50E主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 逆变器电路
3. 直流-直流转换器
4. 电机驱动与控制
5. 工业自动化设备
6. 消费类电子产品中的高压控制部分
7. 能量存储系统及电池管理系统
IRF540N
STP3NB50
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