时间：2025/7/16 12:58:50
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K4M511633E-PF1H 是一款由三星（Samsung）制造的动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片主要应用于需要高速数据处理和大容量存储的场景，例如计算机、网络设备和其他高性能电子系统。
这款 DRAM 芯片采用先进的制程工艺制造，具有高密度、低功耗和快速响应的特点，适合用于对性能要求较高的应用环境。
容量：1Gb
组织结构：512M x 16
工作电压：1.8V
接口类型：DDR2
封装形式：FBGA
引脚数：96
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据传输速率：最高可达 800 Mbps
K4M511633E-PF1H 具有以下主要特性：
1. 高密度存储能力，单颗芯片即可提供 1Gb 的存储容量。
2. 支持 DDR2 接口标准，能够实现高速的数据传输。
3. 工作电压为 1.8V，相比传统 DRAM 产品具有更低的功耗。
4. 封装形式为 FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array），便于在高密度电路板上进行布局和安装。
5. 适用于工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），能够在恶劣环境下稳定运行。
6. 内置多种省电模式，可根据实际需求调整功耗水平。
K4M511633E-PF1H 广泛应用于以下领域：
1. 台式电脑和笔记本电脑的内存扩展。
2. 网络路由器、交换机等通信设备中的数据缓冲。
3. 工业控制设备和嵌入式系统的存储解决方案。
4. 医疗设备、测试测量仪器等需要高可靠性存储的应用。
5. 游戏主机和其他消费类电子产品中作为临时数据存储组件。
K4M511633D-PF1H, MT47H128M16RT-25:E, H5TC1G63AFR-PBA
