2SK3290BN 时间：2025/9/6 12:51:10 阅读：18

2SK3290BN是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率放大电路中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高耐压和优异的开关性能。其封装形式为TO-220，便于散热并适用于多种功率应用。2SK3290BN特别适合用于DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及音频功率放大器等电路设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：60V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：30A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流(Idm)：120A
　　导通电阻(Rds(on))：32mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　功率耗散(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装形式：TO-220

特性

2SK3290BN具备多项优越性能，首先其低导通电阻可显著降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET采用沟槽式结构，提升了电流密度和热稳定性，从而在高负载条件下依然能保持良好性能。此外，其高栅极绝缘强度（Vgs为±20V）增强了器件的抗干扰能力，防止异常电压对栅极造成损害。
　　该器件的快速开关特性有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用，如开关电源和同步整流电路。其高耐压能力（Vds为60V）使得它适用于多种中高压功率转换系统。TO-220封装设计具备良好的热管理能力，支持高效的散热，确保在高功率应用中的稳定运行。
　　2SK3290BN还具备出色的抗雪崩能力，增强了在高能量负载下的可靠性，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品中的关键功率管理电路。

应用

2SK3290BN适用于多种功率电子系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关控制、音频功率放大器以及各种工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高可靠性和优异的热性能，该MOSFET也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动工具和LED照明驱动电路。