时间：2025/5/13 13:03:13
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SMUN5114T1G 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TO-263 封装形式。该器件广泛用于功率转换、电机驱动和负载开关等应用领域，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够有效提升系统的效率和稳定性。
该 MOSFET 的设计特点在于其高雪崩耐量能力和低栅极电荷特性，使其在高频开关应用中表现出色。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：78A
导通电阻：1.4mΩ
栅源开启电压：4V
总功耗：225W
工作结温范围：-55℃ to 175℃
SMUN5114T1G 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高雪崩能量能力，确保在异常条件下具备更强的鲁棒性。
3. 低栅极电荷 (Qg)，可实现更快的开关速度和更高的工作频率。
4. 良好的热性能和电气性能，适用于严苛的工作环境。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
SMUN5114T1G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动和逆变器中的功率级开关。
3. 工业自动化设备中的负载控制。
4. 电动汽车和混合动力汽车的电池管理系统。
5. 大功率 LED 驱动电路。
6. 各种需要高效功率管理的应用场景。
IRF7739PBF, STP75NE06LC6, FDP16N06L
