时间：2025/5/8 14:46:54
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SIZF906DT-T1-GE3 是一款基于硅技术制造的高速整流二极管，专为高频开关应用设计。它具有较低的正向电压降和快速恢复时间，适用于各种电力电子设备中的整流、保护及逆变功能。
该型号是工业级产品，通常用于需要高可靠性和稳定性的场合。其封装形式为 DO-214AC（也称为 SMC 封装），这种封装提供了良好的散热性能和机械稳定性。
最大重复峰值反向电压：60V
最大直流阻断电压：60V
最大平均正向整流电流：1.5A
最大正向浪涌峰值电流：35A
典型正向电压降：0.7V
最大正向电压降：1.1V
典型反向恢复时间：35ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
存储温度范围：-65℃ 至 +175℃
SIZF906DT-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 快速反向恢复时间，适合高频开关电路。
2. 较低的正向压降能够减少功率损耗并提高效率。
3. 高浪涌电流能力使其能承受瞬态过载情况。
4. 工业级温度范围确保在恶劣环境下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
6. DO-214AC (SMC) 封装提供坚固耐用的结构以及优秀的热传导性能。
该二极管广泛应用于以下领域：
1. 开关电源中的整流与保护。
2. 电机驱动器和逆变器中的续流二极管。
3. 通信设备中的高频整流。
4. 太阳能逆变器和 LED 驱动器中的关键组件。
5. 各种工业自动化设备中的高频电路。
6. 汽车电子系统中的辅助电源模块。
SIZF906D-TP, SIZF906DT
