时间：2025/3/27 14:30:04
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MT18N220F101CT 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率转换、电机驱动和电源管理等电路中。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于需要高效能和可靠性的应用环境。
这款 MOSFET 的封装形式通常为 TO-220 或 DPAK 等标准封装类型，具体封装信息可以根据实际型号参数确认。其设计旨在满足高电流和高电压场景下的需求，同时保持较低的功耗。
最大漏源电压：220V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：10A
导通电阻（典型值）：0.15Ω
总栅极电荷：36nC
开关时间：ton=14ns，toff=29ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 高击穿电压：能够承受高达220V的漏源电压，适合高压应用场景。
2. 超低导通电阻：在典型条件下，导通电阻仅为0.15Ω，可显著降低传导损耗。
3. 快速开关能力：具有较小的栅极电荷和短开关时间，有助于提高效率并减少开关损耗。
4. 稳定的工作温度范围：可以在-55℃至+150℃的宽温范围内稳定运行，适应各种极端环境。
5. 高可靠性：采用先进的封装技术，确保长期使用的稳定性。
1. 开关电源（SMPS）：用于直流-直流转换器和交流-直流适配器。
2. 电机驱动：适用于无刷直流电机（BLDC）和其他类型的电机控制。
3. 电池保护：提供过流和短路保护功能。
4. 工业自动化：在工业控制设备中用作功率开关。
5. LED 驱动：为大功率 LED 提供高效的电流调节方案。
MT18N220F102CT, IRFZ44N, FQP50N06L
