时间：2025/8/28 1:25:16
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IR3M43U6/EL 是一款由 Infineon（英飞凌）公司生产的功率 MOSFET 晶体管。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，如开关电源、DC-DC 转换器和电机控制电路。这款 MOSFET 具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适用于多种工业和消费类电子设备。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：600V
漏极电流（Id）：11A（在 25°C）
导通电阻（Rds(on)）：0.47Ω（最大）
栅极电荷（Qg）：43nC（典型）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220
功率耗散（Ptot）：83W
漏极-栅极电压（Vdg）：600V
漏极-源极击穿电压（BVdss）：600V
IR3M43U6/EL 具备多个关键特性，使其在高性能电源系统中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有高耐压能力（600V），适用于高电压应用环境。该 MOSFET 还具备良好的热性能，采用 TO-220 封装，能够有效散热，确保在高负载条件下稳定运行。其栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能表现。此外，IR3M43U6/EL 的设计符合 RoHS 标准，适用于环保型电子产品。该器件在极端温度条件下也能保持稳定工作，适应广泛的工作环境。
IR3M43U6/EL 主要应用于需要高效率和高耐压能力的电源管理系统。例如，它可用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池充电器、UPS 系统、照明电子设备以及电机控制电路。此外，该 MOSFET 也适用于工业自动化设备、家用电器以及消费类电子产品中的功率控制模块。
STP12NM60NFD、FQA13N60C、IRFGB40N60KD、IRFSL13N60D1PBF
