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W9864G6GH-7 发布时间 时间:2025/8/21 10:37:56 查看 阅读:15

W9864G6GH-7 是由 Winbond(华邦电子)生产的一款动态随机存取存储器(DRAM)芯片,型号为 W9864G6GH-7,属于 EDO DRAM 类型。该芯片容量为 4 MB,组织方式为 1M x 4,工作电压为 3.3V。该 DRAM 常用于嵌入式系统、工业控制设备以及老式计算机外设等场景。W9864G6GH-7 采用 54 引脚 TSOP 封装,具有较高的稳定性和兼容性,适用于对数据存储和访问速度有一定要求但不需要高速同步特性的应用环境。该芯片的存取时间(Access Time)为 7 ns,支持 EDO(Extended Data Out)模式,提高了数据读取效率。

参数

容量:4 MB
  组织方式:1M x 4
  工作电压:3.3V
  封装类型:54-TSOP
  访问时间:7 ns
  内存类型:EDO DRAM
  数据宽度:4 位
  工作温度范围:0°C 至 70°C
  封装尺寸:标准 TSOP
  引脚数:54

特性

W9864G6GH-7 是一款 EDO DRAM 芯片,其主要特点包括较低的工作电压(3.3V),提高了能效并降低了功耗。它采用了 EDO 技术,使得在读取数据时,输出数据在下一个地址周期开始之前仍然保持有效,从而提高了内存访问效率。该芯片的访问时间为 7 ns,保证了较快的数据存取速度,适用于需要中等性能内存的嵌入式设备和工业控制系统。
  该芯片采用 54 引脚 TSOP 封装,具有较好的散热性能和稳定性,适合在多种工作环境下运行。W9864G6GH-7 的工作温度范围为 0°C 至 70°C,满足一般工业级应用的需求。此外,该芯片具有良好的兼容性,可与多种控制器和系统架构配合使用。
  由于 EDO DRAM 的特性,W9864G6GH-7 在数据读取过程中可以减少地址切换的等待时间,从而提升整体系统的数据吞吐能力。虽然 EDO DRAM 的写入速度与普通 FPM DRAM 相当,但其读取性能得到了显著提升,因此特别适用于以读取操作为主的系统应用场景,如缓存存储、图形显示缓冲等。

应用

W9864G6GH-7 主要应用于嵌入式系统、工业控制设备、老式计算机外设、网络设备以及通信模块等领域。由于其 EDO 特性和 3.3V 工作电压,它常被用于需要中等容量内存且对功耗有一定要求的设备中。例如,在工业自动化控制系统中,该芯片可用于临时数据存储和缓存;在网络设备中,可用于缓存路由表或数据包;在显示控制器中,可用于存储图像数据或帧缓冲。此外,W9864G6GH-7 也适用于一些老式的 PC 外设扩展卡、打印机控制器、测试测量仪器等设备中,提供稳定可靠的数据存储支持。

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