2SK2526 时间：2025/8/9 4:00:30 阅读：33

2SK2526是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种功率电子设备中。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。它适用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理以及其他需要高效功率开关的场合。2SK2526由日本东芝公司（Toshiba）制造，具有较高的可靠性和稳定性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：15A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.035Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：75W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220
　　阈值电压（VGS(th)）：1V 至 2.5V

特性

2SK2526具有多个关键特性，使其在功率MOSFET市场中占据一席之地。
　　首先，该器件的低导通电阻（RDS(on)）使其在导通状态下损耗更小，从而提高整体效率，降低发热。这对于高功率应用至关重要。
　　其次，2SK2526的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能和机械强度，适用于各种工业环境。
　　此外，该器件的高开关速度使其适用于高频开关电路，如开关电源（SMPS）和逆变器等，有助于减小外部滤波元件的尺寸并提高系统响应速度。
　　其最大漏极电流可达15A，漏源电压为60V，能够满足大多数中功率应用的需求。
　　最后，2SK2526的栅极驱动电压范围较宽（±20V），并且阈值电压较低（1V至2.5V），使其能够与多种驱动电路兼容，包括标准逻辑电平驱动器。

应用

2SK2526主要应用于以下领域：
　　在电源管理方面，该器件适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电池管理系统，能够高效地进行电能转换和分配。
　　在电机控制领域，2SK2526可用于驱动直流电机、步进电机和无刷电机，其高电流能力和快速开关特性使其在PWM控制中表现优异。
　　在工业自动化和控制系统中，该MOSFET可用于负载开关、继电器替代以及高频逆变器设计。
　　此外，2SK2526还可用于LED照明驱动、电焊设备和太阳能逆变器等应用，提供高效的功率控制方案。
　　由于其优良的热稳定性和可靠性，该器件也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统。