型号：L652DU-90RI
　　制造商：STMicroelectronics
　　封装类型：DIP-8
　　工作电压范围：10.5V ~ 20V
　　启动电压：约8.5V
　　最大输出电流：±0.8A（驱动能力）
　　开关频率：90kHz（固定）
　　频率精度：±6%
　　反馈控制模式：电流模式PWM
　　斜坡补偿：内置
　　软启动时间：典型值4ms
　　过压保护（OVP）：有，可调
　　过流保护（OCP）：逐周期限流
　　过温保护（OTP）：有，带迟滞
　　最大占空比：约70%
　　导通电阻（上管MOSFET）：无（外部驱动）
　　工作温度范围：-20°C ~ +105°C
　　引脚数：8
　　产品生命周期：量产中
　　符合标准：RoHS、REACH

L652DU-90RI具备多项先进特性，使其在竞争激烈的电源控制器市场中脱颖而出。首先，它集成了高压启动电路，允许芯片直接从整流后的高压直流母线启动，无需额外的偏置绕组或启动电阻网络，从而简化了外围电路设计并提高了系统可靠性。其次，该芯片采用电流模式控制架构，提供快速的瞬态响应和良好的环路稳定性，同时通过内置斜坡补偿有效防止在占空比较大时出现次谐波振荡问题，确保反激变换器在连续导通模式（CCM）和不连续导通模式（DCM）下均能稳定运行。
　　另一个关键特性是其全面的保护机制。L652DU-90RI内置逐周期电流限制功能，可在每个开关周期内检测主开关管的电流，一旦超过设定阈值即刻关断驱动信号，防止变压器饱和和功率器件损坏。此外，芯片具备可编程过压保护（OVP）功能，通过外部电阻分压网络监测输出电压，在异常情况下自动锁闭输出，防止负载受损。过温保护（OTP）则在芯片结温超过安全阈值时自动关闭设备，待温度下降后恢复运行，实现自恢复保护。
　　该器件还优化了轻载性能，支持跳谷模式（valley skipping）或突发模式（burst mode）操作，显著降低待机功耗，满足严格的能效法规要求。其固定的90kHz开关频率有助于滤波器设计和EMI控制，避免频率抖动带来的复杂性。驱动输出级具有图腾柱结构，提供较强的拉电流和灌电流能力（最高±0.8A），可高效驱动外部N沟道MOSFET，减少开关损耗。所有这些特性结合在一起，使得L652DU-90RI成为中小功率开关电源设计的理想选择，兼顾性能、成本与安全性。

L652DU-90RI广泛应用于多种需要高效、可靠电源转换的电子设备中。其主要应用场景包括手机、平板电脑和其他便携设备的AC-DC充电器与适配器，这类产品对体积、效率和成本极为敏感，而L652DU-90RI凭借高集成度和优异的能效表现能够很好地满足需求。此外，它也常用于家用电器中的辅助电源系统，例如液晶电视、显示器、机顶盒和路由器中的待机电源模块，这些系统通常要求长时间低功耗运行，且必须具备多重保护功能以保障用户安全。
　　在工业领域，L652DU-90RI可用于小型工业电源、PLC（可编程逻辑控制器）供电单元以及传感器供电模块。由于其宽输入电压适应能力和良好的温度稳定性，能够在恶劣的工业环境中长期稳定工作。同时，该芯片也适用于LED照明驱动电源，尤其是在需要恒压输出的LED灯具中，配合合适的反馈电路可实现稳定的电压调节。
　　医疗设备中的低功率电源模块也是其潜在应用方向之一，特别是那些对电气隔离和安全性要求较高的设备。得益于其内置的多重保护机制和高可靠性设计，L652DU-90RI有助于提升整个系统的安全等级。此外，由于其采用DIP-8封装，便于手工焊接和维修，因此在原型开发、小批量生产和教育实验中也受到欢迎。总而言之，任何需要将交流电转换为稳定直流电压的中小功率（一般在3W至60W之间）场合，都是L652DU-90RI的适用领域。