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PHP28NQ15T,127 发布时间 时间:2025/9/14 18:11:05 查看 阅读:3

PHP28NQ15T,127是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的高性能N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高电流和高功率应用设计,具有低导通电阻、快速开关速度以及优良的热性能,适合用于电源转换、电机控制、DC-DC转换器和电池管理系统等场景。该MOSFET采用TrenchMOS技术,确保了高效能和小尺寸的结合。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(VDS):150V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):28A
  导通电阻(RDS(on)):约0.036Ω(典型值)
  功耗(Ptot):100W
  封装类型:TO-220
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

PHP28NQ15T,127的主要特性之一是其低导通电阻(RDS(on)),这使得在导通状态下功率损耗极小,提高了整体系统的效率。此外,该MOSFET采用了先进的TrenchMOS技术,使其在高电流条件下依然保持良好的稳定性和热管理能力。其快速开关特性有助于减少开关损耗,提高系统的响应速度和工作效率,适用于高频操作场景。
  另一个重要特性是其出色的雪崩能量耐受能力。这确保了在异常工作条件(如过压或短路)下,器件仍能保持一定的可靠性和耐用性。此外,该器件具有较高的栅极电压容限(±20V),使得其在驱动电路设计上更加灵活,能够适应多种栅极驱动器配置,从而降低设计复杂度并提高系统的稳定性。
  封装方面,PHP28NQ15T,127采用标准的TO-220封装,具备良好的散热能力和机械强度,适合在各种工业和汽车应用中使用。该封装也便于安装和散热片的集成,从而进一步提高器件在高功率环境下的性能表现。

应用

PHP28NQ15T,127广泛应用于多种高功率和高效率的电子系统中,尤其是在电源管理和电机控制领域。该器件适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、同步整流器以及电池管理系统,如电动汽车和储能系统的功率转换模块。由于其低导通电阻和高电流承载能力,它在高效率电源设计中扮演着关键角色。
  在工业自动化和电机控制应用中,该MOSFET可用于驱动直流电机、步进电机和其他高功率负载,提供稳定的开关性能和较低的功率损耗。此外,它也可用于逆变器和不间断电源(UPS)系统中,确保在电源中断时能够快速切换并维持稳定的电力输出。
  汽车电子领域也是该器件的重要应用方向,包括车载充电系统、电动助力转向系统(EPS)以及车身控制模块。凭借其高可靠性、优异的热性能和宽工作温度范围,PHP28NQ15T,127能够在严苛的汽车环境中稳定运行。

替代型号

SiHF28N150E, STP28N150FD2AG, FDPF28N150

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PHP28NQ15T,127参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C28.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C65 毫欧 @ 18A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs24nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1250pF @ 30V
  • 功率 - 最大150W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称568-5761934059074127PHP28NQ15TPHP28NQ15T,127-NDPHP28NQ15T-ND