时间：2025/9/5 21:59:59
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LTPF56N08 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件设计用于在高电流和高频率条件下工作，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优良的热性能，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：80 V
栅源电压 Vgs：±20 V
连续漏极电流 Id（@TC=100°C）：56 A
功耗（Ptot）：120 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
导通电阻 Rds(on)：典型值 9.7 mΩ（@Vgs=10V）
封装形式：TO-220FP 或等效表面贴装封装（如 PowerFLAT）
LTPF56N08 具有出色的导通性能和开关性能，主要体现在其极低的 Rds(on) 值，从而减少了导通损耗并提高了系统效率。该器件采用先进的 Power MOSFET 技术制造，具备高雪崩耐量和良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。此外，其快速开关特性使其适用于高频开关应用，如同步整流和 PWM 控制电路。
该 MOSFET 还具备良好的栅极电荷（Qg）特性，有助于降低驱动损耗，提高开关速度。同时，其封装设计优化了热管理，使得在没有额外散热器的情况下也能维持较低的工作温度。LTPF56N08 的这些性能优势使其成为工业电源、汽车电子、服务器电源和可再生能源系统中的理想选择。
LTPF56N08 被广泛应用于各种电力电子系统中，包括但不限于：DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）、工业自动化设备以及汽车电子系统（如车载充电器和电动助力转向系统）。其优异的性能使其特别适用于需要高效率、高可靠性和高集成度的设计场景。
STP55NF08, IRF540N, FDP56N08A, IPW56N08C4-17
