时间：2025/7/3 13:55:23
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YFW18N50AF是一款N沟道增强型功率MOSFET（场效应晶体管），专为高频开关应用设计。其耐压高达500V，适用于多种高压场景，如开关电源、逆变器和电机驱动等。该器件采用TO-220封装形式，具备低导通电阻和高效率的特点，能够有效减少功耗并提高系统性能。
该型号基于先进的半导体工艺制造，具有出色的开关特性和热稳定性，是许多工业和消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：18A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：35nC
开关时间：ton=65ns, toff=45ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
YFW18N50AF的突出特性包括高耐压能力（500V），使其非常适合高压环境下的应用。此外，该器件的连续漏极电流达到18A，在大电流负载下依然能保持稳定运行。
其低导通电阻（0.18Ω）有助于降低导通损耗，从而提高整体系统的效率。同时，较小的栅极电荷（35nC）使得开关速度更快，进一步减少了开关损耗。
在热管理方面，该芯片具备良好的散热性能，可适应较宽的工作温度范围（-55℃至+150℃）。这使其能够在恶劣环境下长期可靠地工作。另外，TO-220封装形式不仅便于安装，还提供了优异的散热路径。
YFW18N50AF广泛应用于需要高压和高效切换的场景中，例如开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器、太阳能逆变器以及电机驱动电路等。
在开关电源领域，它可以用作主开关管或同步整流管，以实现高效的能量转换。对于逆变器应用，该器件可以处理高压输入并生成稳定的交流输出。
此外，由于其大电流承载能力和快速开关特性，YFW18N50AF也适用于各种工业控制和家电产品中的电机驱动电路。
IRF540N
STP18NF50
FQP18N50
