PHP225,118是一款由NXP Semiconductors(原Philips)制造的功率MOSFET晶体管,主要用于高频率开关应用,如电源管理、DC-DC转换器、电机控制和照明系统。这款MOSFET采用TO-220封装,具备良好的导通性能和较低的开关损耗,适用于需要高效率和高可靠性的应用场景。
类型: N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID): 18A
最大漏源电压(VDS): 60V
最大栅源电压(VGS): ±20V
导通电阻(RDS(on)):约25mΩ(典型值,VGS=10V)
功耗(Ptot): 60W
封装类型: TO-220
工作温度范围: -55°C ~ +175°C
PHP225,118的主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性。该器件采用先进的沟槽技术,确保在高频率下具有良好的开关性能,同时减少开关损耗。此外,它具有较高的雪崩能量承受能力,增强了器件在高应力工作条件下的可靠性。
这款MOSFET的栅极驱动要求较低,可兼容标准逻辑电平驱动,便于与各种控制器和驱动IC配合使用。其TO-220封装形式具备良好的散热能力,适合在高功率密度应用中使用。
PHP225,118广泛应用于各种电力电子系统中,包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动、电池管理系统、LED照明驱动以及工业自动化控制设备。由于其高效率和高可靠性,也常用于汽车电子系统中的电源管理模块。
IRFZ44N, FDP6N60, STP18N60DM2