HG51A120FB 时间：2025/9/6 13:53:34 阅读：68

HG51A120FB 是一款由华润微电子（China Resources Microelectronics）推出的高性能、高可靠性的MOS场效应晶体管（MOSFET）模块。该模块采用先进的封装技术和先进的芯片设计，具备优异的导通损耗和开关损耗特性，适用于高功率、高频应用场景。HG51A120FB 属于SiC（碳化硅）功率模块的一种，具有良好的热稳定性和高效率，广泛应用于新能源汽车、工业电机驱动、电源转换、太阳能逆变器等高功率电子系统中。

参数

类型：SiC MOSFET模块
　　最大漏极电流（ID）：51A
　　最大漏源电压（VDS）：1200V
　　封装形式：双列直插式（Dual-in-line）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 40mΩ
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　栅极电荷（Qg）：典型值 60nC
　　短路耐受能力：具备
　　封装尺寸：符合行业标准，便于安装与散热
　　绝缘等级：符合IEC 60146标准

特性

HG51A120FB 采用先进的SiC技术，具有出色的导通和开关性能。其导通电阻低至40mΩ，显著降低了在高电流条件下的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，该模块的开关损耗极低，使其在高频应用中表现出色，特别适合用于需要快速开关的电源转换系统。
　　在热性能方面，HG51A120FB 具有优异的热管理能力，能够在高达175℃的工作温度下稳定运行，适应严苛的工业环境。同时，模块内部结构设计优化，确保良好的散热性能，延长了器件的使用寿命。
　　该模块还具备良好的短路耐受能力，可以在短时间内承受较大的电流冲击，增强了系统的稳定性和安全性。其双列直插式封装形式不仅便于安装，而且兼容性强，适用于多种PCB布局设计。
　　此外，HG51A120FB 符合严格的国际标准，如IEC 60146，确保了其在各类高可靠性应用中的稳定表现。整体来看，这款SiC MOSFET模块是高功率、高频应用的理想选择。

应用

HG51A120FB 广泛应用于新能源汽车领域，如车载充电器（OBC）、逆变器和DC/DC转换器等，利用其高效率和高耐压特性，提高整车能效和续航能力。在工业自动化领域，该模块可用于高性能电机驱动器和伺服控制系统，提供更高效的能量转换和稳定的运行表现。
　　在能源领域，HG51A120FB 适用于太阳能逆变器和储能系统，支持更高的转换效率和更小的系统体积。由于其优异的热管理和高频特性，该模块也广泛应用于高频开关电源、不间断电源（UPS）以及高功率LED驱动器等应用。
　　此外，在轨道交通和智能电网等新兴应用中，HG51A120FB 也发挥着重要作用，为高电压、高功率系统提供可靠的功率开关解决方案。