时间：2025/6/21 18:35:29
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PHD45N03LTA 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的半导体制造工艺设计，具有低导通电阻和高开关速度的特点。这款器件广泛应用于需要高效能和低功耗的电路中，例如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等场景。
该型号属于逻辑电平驱动系列，支持较低的栅极驱动电压，从而简化了与微控制器或数字信号处理器的接口设计。其封装形式为 TO-252（DPAK），具备良好的散热性能。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：45A
导通电阻：1.8mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：37nC（最大值，Vds=25V，Id=25A）
开关时间：ton=11ns，toff=9ns（典型值，Vgs=10V）
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻，能够显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高电流处理能力，适用于大功率应用场景。
3. 快速开关特性，适合高频开关电源设计。
4. 支持逻辑电平驱动，便于与低压控制芯片配合使用。
5. 具备优异的热稳定性，在高温环境下仍能保持可靠的性能。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保设计。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. 各类负载开关和保护电路。
4. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
5. 逆变器及光伏系统的功率转换模块。
6. 工业自动化设备中的功率驱动单元。
IRFZ44N
FDP050AN03L
STP45NF03L
