时间：2025/7/8 15:27:46
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IPD105N04LG是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用先进的制造工艺设计，适用于高频开关应用。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于DC-DC转换器、电机驱动、开关电源等场景。它采用了TO-263封装形式，具有良好的散热性能。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：57A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：48nC
开关时间：ton=19ns, toff=26ns
工作温度范围：-55℃至175℃
IPD105N04LG具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，能够有效减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关速度，使其在高频应用中表现出色。
3. 高额定电流能力，支持大功率负载。
4. 热稳定性好，在高温环境下仍能保持稳定性能。
5. 小型化封装，便于PCB布局和安装。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
该器件广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. DC-DC转换器和升压/降压模块中的开关元件。
4. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备中的功率管理部分。
IPW105N04L, IRF540N
