时间：2023/7/18 17:59:12
阅读：761
IRF840是N沟道功率MOSFET，其可切换负载高达500V。Mosfet可以切换消耗高达8A的负载，并且可以通过在栅极和源极引脚之间提供10V的栅极阈值电压来使其导通。由于mosfet用于切换高电流高压负载，因此它具有相对较高的栅极电压，因此不能直接与CPU的I/O引脚一起使用。
IRF840
产品型号 | IRF840 |
制造商 | International Rectifier |
符合REACH | 是 |
组态 | 单 |
最大漏极电流(Abs)(ID) | 8.0安 |
最大漏极电流(ID) | 8.0安 |
最大电阻下的漏源 | 0.85欧姆 |
DS击穿电压-最小值 | 500.0伏 |
场效应管技术 | 金属氧化物半导体 |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | 00 |
元素数 | 1.0 |
端子数 | 3 |
操作模式 | 增强模式 |
最高工作温度 | 150℃ |
包装主体材料 | 塑料/环氧树脂 |
包装形状 | 长方形 |
包装形式 | 法兰安装 |
峰值回流温度(℃) | 225 |
极性/通道类型 | N通道 |
功耗环境最大值 | 125.0瓦 |
最大功率耗散(Abs) | 125.0瓦 |
脉冲漏极电流最大值(IDM) | 32.0安 |
子类别 | FET通用电源 |
终端完成 | 锡/铅(Sn / Pb) |
终端表格 | 贯穿孔 |
终端位置 | 单 |
时间@峰值回流温度-最大值(秒) | 30 |
晶体管应用 | 交换 |
晶体管元件材料 | 硅 |
N沟道功率MOSFET
连续漏极电流(ID)：8A
栅极阈值电压(VGS-th)为10V(极限=±20V)
漏极至源极击穿电压：500V
漏源电阻(RDS)为0.85欧姆
上升时间和下降时间分别为23nS和20nS
采用To-220封装
切换大功率设备
逆变电路
DC-DC转换器
电机控制速度
LED调光器或闪光灯
高速开关应用
IRF840封装
8N50，FTK480，KF12N50，IRF740，BSS138，IRF520，2N7002，BS170，BSS123，IRF3205，IRF1010E
