时间：2025/9/6 22:36:14
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HD6116FPJ是一款由Renesas（原HITACHI）制造的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，其容量为2K x 8位，工作电压为5V。这款SRAM芯片以其高速存取时间和低功耗特性而著称，适用于需要快速数据访问的工业控制、通信设备和嵌入式系统。
容量：2K x 8位
工作电压：5V ± 10%
访问时间：55ns（最大）
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装形式：28引脚塑料DIP
功耗：典型值150mA
数据保持电压：2V（最小）
HD6116FPJ具有高速存取能力，其访问时间低至55ns，能够满足高速系统的需求。
该芯片采用低功耗设计，在待机模式下功耗极低，适合电池供电或对能耗敏感的应用场景。
其宽广的工作温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于各种工业环境，具备良好的环境适应性。
该SRAM芯片内置数据保持电路，即使在掉电情况下，只要保持电压不低于2V，即可保留存储数据。
HD6116FPJ采用标准的28引脚DIP封装，便于安装和替换，兼容多种电路板设计。
HD6116FPJ广泛应用于需要高速数据存储的场合，如嵌入式系统的高速缓存、工业控制器的临时数据存储、通信设备中的缓冲存储器以及老旧计算机系统或工业设备的SRAM扩展。
由于其高速和低功耗特性，也常用于数据采集系统、网络设备、测试仪器和自动化控制装置中。
CY62167VLL-55BZS, IS62LV256-55BLLI, HM62864BLP-60
