时间：2025/8/30 18:27:06
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PGSMAJ48CAHE3G是一款由onsemi（安森美半导体）生产的表面贴装（SMD）瞬态电压抑制器（TVS），采用SMA封装形式。该器件主要用于保护电子电路免受静电放电（ESD）、浪涌电压和瞬态过电压等瞬态干扰的影响。PGSMAJ48CAHE3G属于双向TVS二极管，适用于需要高可靠性保护的精密电子设备，例如通信设备、工业控制系统、消费类电子产品等。该器件具有低钳位电压、快速响应时间和高可靠性等特点，能够在恶劣电磁环境中为电路提供稳定保护。
类型：双向TVS二极管
封装：SMA（表面贴装）
峰值脉冲电流（Ipp）：22.9A（在10/1000μs波形下）
反向击穿电压（Vbr）：48V（最小值）至53.1V（最大值）
工作温度范围：-55℃至+150℃
钳位电压（Vc）：76.9V（最大值）
额定功率（Ppp）：400W
漏电流（IR）：≤10μA
PGSMAJ48CAHE3G具备出色的瞬态电压抑制能力，能够在极短时间内将过电压钳制在安全范围内，从而有效保护电路中的敏感元件不受损坏。该TVS二极管采用了先进的硅雪崩技术，确保了在承受高能量瞬态冲击时依然保持稳定的工作性能。其SMA封装结构使其适用于表面贴装工艺，提高了生产效率并减少了PCB空间占用。此外，PGSMAJ48CAHE3G具有良好的热稳定性和长期可靠性，适合在高温环境下运行。该器件还符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺。
在电气特性方面，PGSMAJ48CAHE3G的反向击穿电压为48V至53.1V，这意味着当外部电压超过此范围时，器件会迅速导通并将电压钳制在76.9V以下，从而保护后级电路。其峰值脉冲电流为22.9A，能够在短时间内吸收大量瞬态能量。此外，该器件的漏电流非常低，通常小于10μA，不会对正常工作电路造成影响。其额定功率为400W，具有较高的能量吸收能力，适用于各种中高功率保护应用。
PGSMAJ48CAHE3G广泛应用于各种电子设备中，用于提供瞬态电压和静电放电保护。常见应用包括电源管理电路、通信接口（如RS-232、RS-485、CAN等）、工业自动化控制系统、消费电子产品（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）以及汽车电子系统等。在这些应用中，PGSMAJ48CAHE3G能够有效防止因静电放电、电感负载切换、雷击浪涌或电源波动引起的瞬态过电压对电路造成损害。例如，在通信设备中，该TVS可用于保护以太网端口、USB接口或HDMI接口免受静电和浪涌干扰；在工业控制系统中，它可以用于保护PLC输入输出端口或传感器信号线；在消费电子产品中，它通常用于保护电池充电电路或数据传输线路。此外，PGSMAJ48CAHE3G也适用于电源适配器、LED照明设备和智能家电等产品中的电压保护电路。
PGSMAJ48CAPHE3G, PESD5V0S1BA, SMAJ48CA
