时间：2025/6/21 4:04:45
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A60Z0R3BT200T 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，属于沟道增强型器件。它采用了先进的制造工艺，在低导通电阻和快速开关性能之间取得了良好的平衡。这款芯片主要应用于电源管理、电机驱动以及各种需要高效功率转换的场景。其出色的热特性和稳定性使其成为高电流、高频应用的理想选择。
该器件封装形式为 TO-220，便于散热处理，并且在电气隔离和耐用性方面表现优异。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：200A
导通电阻：3mΩ
栅极电荷：150nC
开关速度：50ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
A60Z0R3BT200T 具有非常低的导通电阻 (3mΩ)，从而降低了功率损耗，提升了系统效率。同时，它的栅极电荷较低，有助于实现更快的开关速度，减少开关损耗。此外，此器件支持高达 200A 的连续漏极电流，适合用于高功率应用场景。工作温度范围宽达 -55℃ 至 +175℃，能够在极端环境条件下可靠运行。封装设计优化了散热路径，进一步增强了产品的热性能。
该芯片广泛适用于工业控制、汽车电子及消费类电子产品领域中的多种应用。例如，它可以作为开关元件在 DC-DC 转换器中使用，或者用作电机控制器中的功率级组件。另外，在太阳能逆变器、不间断电源 (UPS) 和 LED 驱动电路中也有出色的表现。
A60Z0R3BT150T
A60Z0R4BT200T
