PG15GSUSC-RTK/P 时间：2025/9/12 13:12:10 阅读：5

PG15GSUSC-RTK/P 是一款由 STMicroelectronics 生产的功率MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件设计用于高功率应用，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和快速开关特性，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及电池供电设备等应用场景。PG15GSUSC-RTK/P 采用超小型DFN5x6封装形式，适合高密度PCB布局。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：15A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：@10V GS时为40mΩ，@4.5V GS时为55mΩ
　　功率耗散：40W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：DFN5x6

特性

PG15GSUSC-RTK/P 具备出色的导通性能和开关速度，适用于高效率功率转换系统。
　　该器件的低导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。
　　其DFN5x6封装提供了良好的热性能，有助于热量的快速散发，提高器件在高功率条件下的稳定性。
　　此外，PG15GSUSC-RTK/P 还具有良好的抗雪崩能力和高耐用性，适用于工业和汽车电子等严苛环境下的应用。
　　该MOSFET具备较高的栅极抗静电能力，能够在较为恶劣的使用环境中保持稳定工作。
　　由于其封装尺寸小，非常适合用于空间受限的电路设计，如便携式电子设备和嵌入式系统。
　　PG15GSUSC-RTK/P 支持多种驱动电压，适用于PWM控制和高频开关应用，有助于减小外围电路的体积和成本。

应用

PG15GSUSC-RTK/P 常用于电源管理领域，如同步整流、DC-DC转换器和负载开关等电路。
　　该器件也广泛应用于电机控制、逆变器、功率放大器和LED驱动等需要高效率和高可靠性的系统。
　　在汽车电子中，该MOSFET可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS）等关键模块。
　　此外，PG15GSUSC-RTK/P 还适用于工业自动化设备、UPS不间断电源和通信设备中的功率控制单元。
　　其优异的导通特性和热管理能力也使其适用于高密度电源模块和节能照明系统。