GA0805A8R2CBBBT31G 是一款高性能的射频 (RF) 薄膜芯片电阻器,专为高频电路设计。该元件具有高精度、低噪声和优异的温度稳定性,广泛应用于无线通信设备、射频模块及高频信号处理电路中。其独特的薄膜技术确保了卓越的电气性能和可靠性。
型号:GA0805A8R2CBBBT31G
阻值:8.2Ω
公差:±1%
额定功率:0.1W
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装形式:0805
ESL(等效串联电感):< 0.4nH
ESR(等效串联电阻):< 0.02Ω
TCR(温度系数):±25ppm/℃
GA0805A8R2CBBBT31G 的主要特性包括:
1. 使用先进的薄膜工艺制造,提供稳定的阻值和极低的温度漂移。
2. 高频率应用优化,支持高达 GHz 级别的射频信号传输。
3. 小型化设计,适合高密度 PCB 布局。
4. 具备出色的抗浪涌能力和长期稳定性,可满足苛刻环境下的使用需求。
5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅焊接兼容。
该元件适用于多种高频电子系统,具体包括:
1. 移动通信设备中的滤波器和匹配网络。
2. 射频放大器和混频器的偏置电路。
3. 高速数据链路中的终端电阻。
4. 卫星通信和雷达系统的信号处理电路。
5. 工业自动化领域中的高频控制模块。
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