时间：2025/9/12 13:46:26
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PG05HBTS6-RTK 是一款由 Littelfuse 生产的 P 沟道功率 MOSFET，常用于高侧开关、负载开关、电源管理等应用。该器件采用 SOT-23 封装，适合在需要低导通电阻和快速开关性能的电路中使用。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：-20V
栅源电压 Vgs：±12V
连续漏极电流 Id：-500mA
导通电阻 Rds(on)：@ Vgs = 4.5V 时 ≤ 0.55Ω
功耗：300mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：SOT-23
PG05HBTS6-RTK 具有较低的导通电阻，这使得它在导通状态下能够减少功率损耗并提高效率。此外，该 MOSFET 支持较高的栅源电压（±12V），提供了更大的驱动灵活性。器件采用了先进的沟槽技术，确保了优异的开关性能和稳定性。由于其低栅极电荷（Qg）特性，PG05HBTS6-RTK 能够在高频开关应用中表现出色，适用于 DC-DC 转换器、电源管理单元和负载开关控制等场景。
该器件的 SOT-23 小型封装使其非常适合空间受限的设计，同时具备良好的热性能，可以在高负载条件下稳定运行。PG05HBTS6-RTK 还具备较高的耐用性和可靠性，符合 RoHS 标准，并支持无铅焊接工艺，适合用于环保电子产品的设计。
PG05HBTS6-RTK 主要应用于各种电源管理电路中，例如电池供电设备中的负载开关控制、DC-DC 转换器、电压调节模块、便携式电子产品和汽车电子系统等。其低导通电阻和快速开关特性也使其适用于电机驱动、LED 照明控制以及各种需要高效功率切换的场合。
Si2302DS, AO3401A, FDN340P, ZXMP2010F
